中国科学家研发无疲劳铁电材料，突破传统限制

中国科学家成功开发了一种无疲劳铁电材料，这一突破性成果近日在国际顶级学术期刊上发表。传统存储芯片因铁电材料的限制而存在读写次数和稳定性问题，因此阻碍了进一步研发和应用。然而，基于二维滑移铁电机制开发的新型二维层状滑移铁电材料3R-MoS2有望突破这一限制，实现无限次读写。

研究团队利用AI辅助的跨尺度原子模拟分析揭示了二维滑移铁电材料抗疲劳的微观物理机制。实验表明，采用该材料制备的铁电芯片器件在经过400万次循环电场翻转极化后，仍能保持良好的铁电极化状态。这项技术不仅提高了存储芯片的可靠性和耐久性，还有助于降低成本，并提高存储密度。未来，在航空航天、深海探测等极端环境应用以及可穿戴设备、柔性电子技术等领域都将发挥重要作用。

与传统铁电材料相比，新型二维滑移铁电材料具有更好的抗疲劳性能。通过AI辅助的跨尺度原子模拟分析，研究人员发现“层间滑动”替代了传统铁电材料的“离子移动”，这使得新型二维层状滑移铁电材料3R-MoS2能够在经历大量循环后仍保持稳定的铁电极化状态。

此次开发的新一代二维层状滑移铁电材料将对存储行业产生重大影响。它不仅解决了传统存储芯片存在的读写次数限制和稳定性问题，还降低了制造成本并提高了存储密度。这种新材料将在未来推动可穿戴设备、柔性电子技术等领域的创新，并为航天航空、深海探测等极限环境下提供可靠的电子产品解决方案。