摩根士丹利预测：全球内存即将迎来前所未有供需失衡

根据摩根士丹利最新发布的报告，全球内存市场即将迎来前所未有的供需失衡现象。这一现象主要源于人工智能技术的快速发展以及过去两年内存行业资本支出不足。

报告显示，到2025年，HBM（高带宽内存）的供应将出现严重短缺，而整个DRAM（动态随机存取内存）市场的供应也将出现大幅不足，其中HBM的需求量预计将达到总DRAM供应量的30%。

这一供需失衡情况预示着内存价格显著上涨。预计商品存储产品价格将在2024年以每季度两位数速度增长，并且在2025年HBM的价格将继续上涨。服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将成为价格上涨趋势的主要推动力。

对于行业内的战略地位公司如SK海力士和三星电子来说，这种“超级周期”将带来市场份额的进一步增长。摩根士丹利已将其对两家公司2024-25年的每股收益预测提高了24-82%，较最新的预期共识高出51-54%。

值得注意的是，SK海力士预计将在2025年占据HMB市场的最大份额。其目标价被提高11%，达到30万韩元；而三星电子的目标价则被提高至10.5万韩元。

当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平，自2022年第三季度以来产能一直在下降。这种投资不足的情况发生在内存供应链迅速向HMB转移之时，因为生产HMB所需的晶圆容量是普通DRAM的两倍，同时其生产良率也较低，从而加剧了供需失衡的现象。