

本周二,英伟达首席执行官黄仁勋在美国加州圣何塞的媒体吹风会上表示,HBM内存的生产难度和成本都非常高。他将HBM称为“技术奇迹”,并指出相比传统DRAM内存,HBM不仅可以提高数据中心的性能,而且功耗明显更低。
网络上曾传出消息说英伟达可能会从三星采购HBM3或HBM3E等内存。在本次吹风会上,黄仁勋正面回应了这一传闻,并表示目前已经开始验证三星的HBM内存芯片,并考虑在未来下单采购。
此外,在本次吹风会中,黄仁勋强调了SK海力士的重要性,它是满足英伟达现代HBM内存的主要供应商。目前英伟达主流的H100加速卡采用的是HBM3内存,主要供应商是SK海力士。然而,由于生产周期较长等原因,无法满足整体AI市场的需求。
据相关报道,三星计划在2023年年末以1Znm产品加入英伟达供应链。尽管比重仍然较小,但这可以视为三星在HBM领域的重要突破。与此同时,在竞争激烈的HBM市场中,其他厂商也在积极追赶SK海力士。
总体来说,在AI加速卡领域内,随着技术和市场的不断发展,HBM内存将成为一种重要的发展趋势。
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