三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品

三星半导体宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，这是该公司最新推出的闪存芯片。该产品位密度比上一代提高了约50%，并采用双重堆叠技术和通道孔蚀刻技术来提高生产效率。

据悉，第九代V-NAND产品主要面向大型企业服务器、人工智能和云设备等市场。而业内消息称，三星计划在明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，达到430层，并进一步提高NAND的密度以巩固和扩大其领先优势。

根据市场研究公司Omdia的预测，在2023年NAND闪存市场下降37.7%之后，预计今年将增长38.1%。为了在快速增长的市场中占据一席之地，三星誓言要大力投资NAND业务。

值得一提的是，三星高管表示，公司的目标是到2030年开发超过1000层的NAND芯片以实现更高的密度和存储能力。