三星公布2027年制程技术路线图：3nm工艺将至

三星公布2027年制程技术路线图

三星近日公布了其到2027年的制程技术路线图。该公司列出了从2022年6月开始量产的3nm GAA（Gate-All-Around）半导体工艺发展计划。其中包括了SF3、SF3P、SF4X、SF2等不同工艺节点。

据报道，三星将于今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于使用第三代GAA晶体管技术特性构建外延和集成MBCFET（多桥-通道场效应晶体管）架构的文章，并提供更多关键细节。

三星表示，新工艺将采用独特的外延和集成方式，并将改善晶体管性能。与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%至46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。根据三星的规划，该技术开发工作将在2024年第二季度完成，并且芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。

除了新技术的发展外，三星还加强了2nm工艺生态系统的建设。他们已经与超过50个合作伙伴合作。今年2月，三星宣布与Arm展开合作，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，提高性能和效率。

另一方面，三星还计划推出第三代3nm工艺，并继续提升密度和降低功耗。他们也需要继续提升良品率。虽然初代3nm工艺很难说得上成功，但传闻早期的良品率仅为20%，主要用于生产加密货币使用的芯片，缺乏大客户的订单支持。

总之，三星在科技领域不断努力着，以满足未来市场需求并保持竞争优势。随着新技术的发展和生态系统的建立，我们期待看到更多创新的产品问世。