消息称三星电子8层堆叠HBM3E内存尚未正式通过英伟达验证

韩媒报道称，三星电子的8层堆叠（8Hi）HBM3E内存尚未通过英伟达的测试，仍需进一步验证。消息人士表示，三星产品未能通过测试的主要原因是台积电在检测中采用了基于SK海力士HBM3E产品设定的检测标准。

据了解，三星电子与SK海力士在HBM3E内存的工艺上存在差异，比如前者采用TC-NCF键合，后者采用MR-RUF批量回流模制底部填充。这些差异必然会对参数产生影响。然而，在消息人士看来，如果针对三星电子产品的检测标准有所调整，那么三星HBM3E内存通过英伟达的供应测试将不成问题。

此前报道指出，三星电子的8Hi HBM3E内存已于上月进入量产阶段，并且12Hi HBM3E的量产也将在本季度达成。此次事件对三星和英伟达的合作关系产生了影响。