三星8nm eMRAM内存即将发布：耐温160℃，能量效率高

三星电子在最近的AI-PIM研讨会上宣布，其8nm版本的eMRAM内存研发已经基本完成，并且正在按照计划进行制程升级。eMRAM是一种基于磁性原理的新一代内存技术，与传统的DRAM相比，它具有非易失性，不需要定期刷新数据，从而实现了更高的能源效率。

此外，eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍，这使得它能够满足对写入速率要求较高的应用场景。目前，三星电子已经具备28nm eMRAM生产能力，并且已经开始向智能手表等终端产品供应。根据之前报道，三星电子曾计划在2024年量产14nm eMRAM，并在2026年实现8nm eMRAM的量产。

随着8nm eMRAM开发的基本完成，公司正朝着2027年推出5nm eMRAM的目标稳步前进。同时，三星对eMRAM在未来汽车领域的应用充满信心，并表示其产品耐温能力已经达到了150~160℃，完全满足汽车行业对半导体的苛刻要求。